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常见芯片失效原因—E<span style='color:red'>OS</span>/ESD介绍

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常见芯片失效原因—EOS/ESD介绍

　　在半导体制造领域，电气过应力(EOS)和静电放电(ESD)是导致芯片失效的两大主要因素，约占现场失效器件总数的50%。它们不仅直接造成器件损坏，还会引发长期性能衰退和可靠性问题，对生产效率与产品质量构成严重威胁。　　关于ESD　　ESD(Electrostatic Discharge) 即静电放电，指物体因接触摩擦积累电荷后，与导体接近或接触时发生的瞬间电子转移现象。放电电压可达数千伏，能直接击穿敏感的半导体结构。　　其产生方式主要包括：人体放电模型(HBM)——人体静电经芯片引脚放电;机器放电模型(MM)——自动化设备累积静电传导至芯片;元件充电模型(CDM)——带电芯片引脚接触接地体时内部电荷释放;电场感应模型(FIM)——外部电场变化引发芯片内部电荷重分布。　　ESD的危害呈现多重性：一是直接造成晶体管击穿、金属连线断裂等物理损坏;二是引发阈值电压漂移等参数退化，导致性能不稳定;三是形成微观损伤，降低器件长期可靠性;四是导致数据丢失或误操作，威胁系统安全。其隐蔽性和随机性进一步增加了防控难度。　　关于ESD的防护需采取综合措施：　　耗散：使用表面电阻为10⁵–10¹¹Ω的防静电台垫、地板等材料;　　泄放：通过接地导线、防静电手环/服装/鞋实现人员与设备接地;　　中和：在难以接地的区域采用离子风机中和电荷;　　屏蔽：利用法拉第笼原理对静电源或产品进行主动/被动屏蔽;　　增湿：提高环境湿度作为辅助手段;　　电路设计：在敏感元器件集成防静电电路，但需注意其防护能力存在上限。　　关于EOS　　EOS(Electrical Over Stress) 指芯片承受的电压或电流超过其耐受极限，通常由持续数微秒至数秒的过载引发。　　主要诱因包括：电源电压瞬变(如浪涌、纹波)、测试程序热切换导致的瞬态电流、雷电耦合、电磁干扰(EMI)、接地点反跳(接地不足引发高压)、测试设计缺陷(如上电时序错误)及其他设备脉冲干扰。　　EOS的失效特征以热损伤为主：过载电流在局部产生高热，导致金属连线大面积熔融、封装体碳化焦糊，甚至金/铜键合线烧毁。即使未造成物理破坏，也可能因热效应诱发材料特性衰退，表现为参数漂移或功能异常。更严重的是，EOS损伤会显著降低芯片的长期可靠性，增加后期故障率。　　EOS防护的核心是限制能量注入：　　阻容抑制：串联电阻限制进入芯片的能量;　　TVS二极管：并联瞬态电压抑制器疏导过压能量，建议搭配电阻使用以分担浪涌冲击;　　材料防护：采用静电屏蔽包装和抗静电材料;　　工作环境：使用防脉冲干扰的安全工作台，定期检查无静电材料污染;　　设计加固：优化芯片耐压结构及布局走线，减少电磁干扰影响。　　芯片级保护器　　为应对ESD/EOS威胁，需在电路中增设专用保护器件：　　ESD保护器：吸收并分散静电放电的高能量，防止瞬时高压脉冲损伤核心芯片，作用类似"防护罩"。　　EOS保护器：限制过电压幅值，通过疏导能量充当"安全阀"，避免持续过应力导致热积累。　　不同应用场景对保护器参数要求各异：　　汽车领域：需耐受-55℃~150℃极端温度、36V高电压及300A浪涌电流，符合AEC-Q101认证;　　工业与物联网：要求-40℃~85℃工作范围及±15kV ESD防护能力，通过JEDEC标准;　　消费电子：侧重低结电容(0.1pF~2000pF)和±8kV ESD防护，适应2.5V~30V电压环境。　　保护器通常置于信号线/电源线与核心IC之间，确保过电压在到达敏感元件前被拦截，显著提升系统鲁棒性。　　失效分析与防控策略　　区分ESD与EOS失效是诊断的关键：ESD因纳秒级高压放电，多表现为衬底击穿、多晶硅熔融等点状损伤;而EOS因持续热效应，常引发氧化层/金属层大面积熔融或封装碳化。但短脉冲EOS与ESD损伤形态相似，且ESD可能诱发后续EOS，此时需通过模拟测试复现失效：对芯片施加HBM/MM/CDM模型(ESD)或毫秒级过电应力(EOS)，对比实际失效特征以确定根源。　　产线改良需针对性施策：　　加强ESD防护：检查人员接地设备、工作台防静电材料有效性，控制环境湿度;　　抑制电气干扰：为电源增加过压保护及噪声滤波装置，避免热插拔操作;　　优化接地设计：杜绝接地点反跳(电流转换引发高压);　　规范操作流程：严格执行上电时序，隔离外部脉冲干扰源。

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芯片

发布时间：2025-08-20 14:02 阅读量：320 继续阅读>>

森国科推出2000V SiC M<span style='color:red'>OS</span>FET、JBS & Easy3B 功率模块系列产品，满足1500V 以上高压应用场景

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森国科推出2000V SiC MOSFET、JBS & Easy3B 功率模块系列产品，满足1500V 以上高压应用场景

　　在如今的科技发展浪潮中，电力电子器件的性能对众多领域的发展至关重要。随着1500V 光储系统的广泛应用，1000V/800V 新能源汽车架构平台的蓬勃发展，高压兆充的快速布局，森国科及时推出了 2000V SiC 分立器件及模块产品。森国科的2000V SiC产品系列正是顺应市场需求而生，它能在提高效率、降低损耗等方面发挥重要作用。　　众所周知，1500V高压光伏系统具备多方面显著优势。其通过增加串联光伏组件块数、减少并联电路数量，有效削减接线盒及线缆数量。电压提升后，线缆损耗进一步降低，系统发电效率得以提高。　　同时，设备(逆变器、变压器)的功率密度提升，体积减小，降低运输和维护工作量，有利于降低光伏系统成本。此外，顺应高压并网发展趋势，该系统在未来的能源格局中更具适应性和竞争力。　　在光伏发电侧，当光伏组串的母线电压高达1500V的时候，就要求逆变器的输入侧能承受1500V的电压，从而要求逆变器内部的高压侧功率器件的耐压要求高达2000V以上，而电压越高就越能发挥SiC功率器件的优势，　　上面的光伏发电框图直观展示了光伏发电系统的整体架构与运行流程。逆变器与2000V SiC器件紧密相连。2000V SiC 器件有利于简化光伏逆变器的拓扑结构、提升功率密度、提升系统效率、降低系统成本。具体来说，它可以支持1500V的MPPT升压电路，减少系统损耗，提升效率。在组串式逆变器领域，对于8kW - 150kW的大功率逆变器，能将直流 - 交流转换效率提升至99%以上，显著降低能量损耗。　　在光伏逆变器中，有以上三种升压变换电路拓扑，分别是1100V System、1500V FC - Boost System和1500V 2-level System。这些电路拓扑有显著优势。使用SiC器件比传统Si器件频率更高、效率更高，能让电路运行更高效。　　01　　森国科针对1500V 工作电压系统需求，推出了2000V/35mΩ的SiC MOSFET KWM035200A，2000V/20A 的SiC JBS KWS20200A，两款产品的温度适用范围广，都可以在-55℃到175℃间稳定工作，且通过了JEDEC的严格测试，包括HV - HTRB和HV - H3TRB，可靠性极高。其驱动电压在15V至18V，采用开尔文源极引脚的封装设计可减少开关损耗，提升开关速度。　　02　　基于森国科自研的2000V SiC MOSFET & JBS 晶圆，森国科还推出了一款2000V/19 mΩ SiC 模块KC019DF20W3M1，这是一款全碳化硅模块(4 通道 Boost)，其工作温度范围在 -55℃到 175℃之间，通过了 JEDEC 的严格测试，包括 HV - HTRB 和 HV - H3TRB。　　该模块采用 3B 封装并加装铜金属底座，既安装牢固，又消除了塑料底座老化隐患，安全性大幅提升。内部集成 4 相升压电路，共用电源接地并分 2 组，还集成热敏电阻监测温度，能灵活适配 2 路或 4 路直流输入，满足多样设计需求。对比分立器件方案，它大幅提升功率密度，简化电路设计。　　在前面的分享中，我们详细介绍了森国科2000V SiC功率器件的出生背景、优势、相关电路拓扑以及具体的器件型号和模块型号等内容。随着越来越多的高压应用的快速发展，森国科将推出更多2000V系列的SiC 功率器件，针对不同的应用场景，推出最合适的功率器件及模块产品。

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森国科

发布时间：2025-08-13 13:54 阅读量：346 继续阅读>>

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SiC MOSFET短路时间偏弱：破解瓶颈，森国科新品给出强劲答案

　　SiC MOSFET以其优异的耐压、高开关频率和低损耗性能，正持续推动着新能源车、光伏逆变和工业电源等领域的变革。然而，相比传统硅基IGBT，大多数SiC MOSFET暴露出一个明显的技术挑战：短路耐受时间(TSC)相对偏短(通常≤ 3μs)，这一特性增加了工程师在实际使用时候的应用难度，阻碍了其在大功率、高可靠性应用场景中快速使用进程。　　为何SiC MOSFET更“怕”短路?SiC材料先天特性是短板的核心源头　　01更快的热失控　　SiC卓越的热导率在短路时变成了“双刃剑”，它能极快地将短路点高温扩散开来，导致更大区域的结温飙升直至器件烧毁;　　02饱和电流密度更高　　同样沟道尺寸下，SiC导通能力更强，带来异常严峻的短路电流冲击;　　03更薄的栅氧层　　追求低导通电阻需微缩单元尺寸与减薄栅氧，使得器件在高压过流下更易发生栅氧击穿;　　04材料失配挑战　　SiC材料内部微管等固有缺陷，在极端电气应力下容易成为失效起点。　　面对SiC MOSFET 短路时间偏弱的问题，通常的解决方法一是在驱动电路方面尽量做好保护，比如采用智能驱动保护电路，二是系统协同保护设计。　　PART01　　智能驱动保护电路通常有三种措施　　——高速电流检测 + 逻辑保护　　部署响应达纳秒级的电流采样单元(如无感电阻，罗氏线圈)，配合硬逻辑快速关断;　　——有源米勒钳位技术　　主动抑制米勒效应导通导致的误导通风险，保护其在关断安全区;　　——软关断策略　　感知短路后，实施栅压缓降的非硬关断方式(如“两步关断”)，避免过高di/dt引发的浪涌电压损坏器件。　　PART02　　系统协同保护设计有如下两种措施　　缩短驱动回路，选用高频性能更佳、驱动功率足够大的专用驱动IC，从源头提升响应速度;　　充分利用控制器(如DSP、MCU)的算法优化短路检测速度和关断保护逻辑。　　面对SiC MOSFET 短路时间偏弱的难题，森国科研发团队通过工艺创新及器件结构设计创新，推出了行业领先的4.5μs 的SiC MOSFET。　　在这一技术攻坚背景下，森国科推出业界领先的1200V/40mΩ SiC MOSFET产品K3M040120-J，该器件最大亮点在于实现了高达4.5µs的短路耐受时间，树立了同类产品的性能新标杆，显著提升了大功率新能源系统的安全性和可靠性裕量。森国科K3M040120-J的产品规格书K3M040120-J 实测的短路耐受时间波形图　　短路耐受时间是SiC MOSFET进入电动引擎等高可靠场景的重要敲门砖。森国科短路耐受时间加强系列的问世突破了材料限制，引领产品鲁棒性迈入新阶段，为国产高端SiC 功率半导体产业注入强大引擎。未来随着设计与工艺的持续迭代，“短板”正不断被克服。随着设计协同优化与新型保护技术的成熟普及，SiC MOSFET将继续赋能全球绿色电力产业。

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森国科

发布时间：2025-08-13 13:51 阅读量：326 继续阅读>>

M<span style='color:red'>OS</span>场效应管的分类、结构以及原理

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MOS场效应管的分类、结构以及原理

　　场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管，是较新型的半导体材料，利用电场效应来控制晶体管的电流，因而得名。它只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。从场效应管的结构来划分，它有结型场效应管和绝缘栅型场效应管之分。　　1.结型场效应管　　(1) 结型场效应管结构　　它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。　　(2) 结型场效应管工作原理　　以N沟道为例说明其工作原理。　　当VGS=0时，在漏、源之间加有一定电压时，在漏源间将形成多子的漂移运动，产生漏极电流。当VGS《0时，PN结反偏，形成耗尽层，漏源间的沟道将变窄，ID将减小，VGS继续减小，沟道继续变窄，ID继续减小直至为0。当漏极电流为零时所对应的栅源电压VGS称为夹断电压VGS (off)。　　(3)结型场效应管特性曲线　　结型场效应管的特性曲线有两条，　　一是输出特性曲线(ID=f(VDS)| VGS=常量)，　　二是转移特性曲线(ID=f(VGS)|VDS =常量)。　　N沟道结型场效应管的特性曲线　　2. 绝缘栅场效应三极管的工作原理　　绝缘栅场效应三极管分为：　　耗尽型→N沟道、P沟道　　增强型→N沟道、P沟道　　(1)N沟道耗尽型绝缘栅场效应管结构　　它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子。所以当VGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。于是，只要有漏源电压，就有漏极电流存在。当VGS》0时，将使ID进一步增加。VGS《0时，随着VGS的减小漏极电流逐渐减小，直至ID=0。对应ID=0的VGS称为夹断电压，用符号VGS (off)表示，有时也用VP表示。　　(2)N沟道增强型绝缘栅场效应管结构　　N沟道增强型绝缘栅场效应管，结构与耗尽型类似。但当VGS=0 V时，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。当栅极加有电压时，若VGS》VGS (th)时，形成沟道，将漏极和源极沟通。如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。在VGS=0V时ID=0，只有当VGS》VGS (th)后才会出现漏极电流，这种MOS管称为增强型MOS管。　　VGS(th)——开启电压或阀电压;　　(3)P沟道增强型和耗尽型MOSFET　　P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。

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场效应管

发布时间：2025-08-12 11:22 阅读量：316 继续阅读>>

海康存储企业级SSD D300系列获OpenCloud<span style='color:red'>OS</span>兼容互认证

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海康存储企业级SSD D300系列获OpenCloudOS兼容互认证

　　近日，杭州海康存储科技有限公司(HIKSEMI，以下简称海康存储)旗下D300系列企业级 SATA SSD完成了与OpenCloudOS、TencentOS Server的相互兼容性认证。测试结果表明，该系列产品性能优异，兼容性良好，具备出色的可靠性和耐久性，是云服务、大数据处理等应用场景的理想之选。　　　本次兼容性认证覆盖了多项关键测试，包括操作系统安装、BIOS识别、BMC认盘、分区和文件系统、带IO热插拔、系统Reboot、系统DC掉电、系统AC掉电、RAID功能及Fio性能测试等。　　海康存储D300系列采用企业级主控，搭载高速3D TLC NAND闪存颗粒，顺序读写速度达到538/509 MB/s，4K随机读写IOPS达到98/61K，读写时延低至92/19 us，适用于读取密集型及轻度混合型工作负载。在可靠性方面，D300系列集成了LDPC 纠错、端到端数据保护、异常掉电保护、异常情况下只读固件自动重加载等多重安全机制，保障数据资产安全;同时，配合细致调教的磨损均衡算法，有效降低性能波动，确保企业级应用所需的高一致性。D300系列还支持固件在线更新，以保障业务连续性。　　目前，海康存储D300系列已经完成了与多个CPU平台、服务器厂商的产品兼容性互认证，为电信、金融、网络安全等领域提供高性能、高可靠的应用体验。240GB~3840GB的多容量设计和多种形态规格，满足行业客户的多样化定制需求。　　自2017年启动首代数据中心级固态硬盘研发工作起，海康存储持续深化与产业链伙伴的合作，不断提升产品性能与应用环境适配能力，构建深度协同的产业生态。未来，海康存储将打造AI+金融、AI+电信、AI+互联网等领域的存储解决方案，成为企业数字化转型的优质之选。　　关于OpenCloudOS　　OpenCloudOS沉淀了多家厂商在软件和开源生态的优势，继承了腾讯在操作系统和内核层面超过10年的技术积累，在云原生、稳定性、性能及硬件支持等方面提供坚实支撑，全面支持各类硬件平台。截止目前，OpenCloudOS已支持X86_64、ARM64、RISC-V架构，并完善适配LoongArch、飞腾、兆芯、鲲鹏等平台，生态合作伙伴超过700家。

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海康存储

发布时间：2025-08-08 14:24 阅读量：462 继续阅读>>

威兆半导体推出1200V40mohm SICM<span style='color:red'>OS</span>单管产品

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威兆半导体推出1200V40mohm SICMOS单管产品

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威兆半导体

发布时间：2025-08-07 11:12 阅读量：471 继续阅读>>

江西萨瑞微独家研发一种LDM<span style='color:red'>OS</span>场效应管及其制备方法

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江西萨瑞微独家研发一种LDMOS场效应管及其制备方法

　　江西萨瑞微独家研发一种LDMOS场效应管及其制备方法。　　本发明涉及半导体器件设计领域，具体涉及一种LDMOS场效应管及其制备方法。　　在当前半导体行业竞争日趋激烈的背景下，LDMOS场效应管因其在高压应用中的优越性能而受到广泛关注。本文将深入剖析一种LDMOS场效应管及其制备方法，旨在为半导体领域的专业人士和爱好者提供前沿的技术动态和实践指导。　　01 背景技术　　LDMOS场效应管，即横向扩散金属氧化物半导体器件。随着对击穿电压要求的提高，对LDMOS场效应管中场板要求也高。　　现有的LDMOS场效应管，由于结构限制，场氧化层与浅氧化层的交界位置氧含量较低，导致生长速度慢，即降低了LDMOS器件的耐压水平。　　目前，对该击穿点的优化通常是将场氧化层与浅氧化层共同形成的场板面积增大，提升场效应管的整体耐压水平，此举直接影响是场效应管的面积对应增加。这种改进，并未从根本上优化该击穿点。　　02 发明内容　　针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种LDMOS场效应管及其制备方法，方法步骤包括：　　1、提供半导体衬底，对半导体衬底进行刻蚀以得到若干个沟槽区。　　2、在沟槽区内形成介质层，使介质层覆盖于沟槽区的底面与侧壁。　　3、对沟槽区内的介质层进行离子注入。注入成分包括碳离子与氢离子。　　4、对离子改性层刻蚀，随着深度增加，该离子改性层的厚度递增，且顶部齐平于半导体衬底的表面。　　5、采用热氧化工艺，按照第一热氧化条件，在沟槽区内的离子改性层之上形成浅氧化层，使浅氧化层的顶面低于介质层的顶面。　　6、采用热氧化工艺，按照第二热氧化条件，在半导体衬底与浅氧化层之上沉积场氧化层，使场氧化层于沟槽区内的底面低于介质层的顶面，形成LDMOS场效应管的场板。　　7、其中，第一热氧化条件与第二热氧化条件均包括温度条件、氧含量条件与氧流速条件。　　有益效果　　实现对LDMOS纵向耗尽的调节，进而提升LDMOS场效应管的BV水平。浅氧化层与场氧化层交界的附近位置并非尖角，能够有效的优化浅氧化层与场氧化层之间的薄弱击穿点，不再需要将场板加大，也就不需要被动的增加芯片面积，提升了LDMOS场效应管的耐压水平。　　实验结果分析　　在本发明中，通过降低介质层的倾斜角度，在其它参数不变的情况下，LDMOS场效应管的BV值具有一定的提升，而在介质层的倾斜角度相同、第一氧流速与第二氧流速更大的情况下，LDMOS场效应管的BV值更大;相反的，对比例中由于场氧化层与介质层无接触，即使在制备参数不变的情况下，其BV值也略有下降。　　03 结论　　综上，在本发明所示的LDMOS场效应管的制备过程中，通过降低介质层的倾斜角度，以及提升浅氧化层、场氧化层制备过程中的温度与氧流速，能够有效提升LDMOS场效应管的器件耐压。

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江西萨瑞微

发布时间：2025-08-01 14:01 阅读量：322 继续阅读>>

应能微：车载无线终端T-BOX ESD&E<span style='color:red'>OS</span>解决方案

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应能微：车载无线终端T-BOX ESD&EOS解决方案

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应能微

发布时间：2025-07-31 11:35 阅读量：313 继续阅读>>

ROHM推出实现业界超低电路电流的超小尺寸CM<span style='color:red'>OS</span>运算放大器

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ROHM推出实现业界超低电路电流的超小尺寸CMOS运算放大器

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出工作时的电路电流可控制在业界超低水平的超小尺寸CMOS运算放大器“TLR1901GXZ”。该产品非常适用于电池或充电电池驱动的便携式测量仪、可穿戴设备和室内探测器等小型应用中的测量放大器。　　近年来，随着便携式测量仪和可穿戴设备等由电池驱动的应用对控制精度要求的不断提高，用于量化温度、湿度、振动、压力、流量等参数的传感器以及用来放大传感器信号的运算放大器的重要性日益凸显。另一方面，在致力于实现可持续发展社会等大背景下，应用产品的小型化和节能化已成为当务之急，对单个器件也提出了同样的要求。在这种背景下，ROHM通过进一步优化多年来积累的 “工艺技术”、“封装技术”和“Nano Energy™电路技术”，开发出满足“小型化”、“低静态电流”和“高精度”三大需求的运算放大器。　　新产品通过采用引脚间距缩小至0.35mm的WLCSP*1封装，实现1mm²以下的超小尺寸，同时兼具超低静态电流特性，工作时的电路电流可控制在业界超低的160nA(Typ.)。由此，该新产品不仅能在有限的空间内实现高密度安装，还能大大延长电池寿命和应用产品的续航时间。　　另外，新产品的输入失调电压*2在低静态电流运算放大器中表现尤为突出，最大仅为0.55mV，比普通产品减少约45%。输入失调电压温漂*3也能保证最大仅7µV/℃，即使在易受外部温度影响的设备中也能实现高精度工作。　　此外，若搭配ROHM的超小型通用电阻器MCR004(0402尺寸)和MCR006(0603尺寸)作为运算放大器的增益调节等外围元件使用，可进一步提升设计的灵活性。0402尺寸还提供环保型无铅电阻产品MCR004E。　　新产品已于2025年6月开始暂以2万个/月的规模投入量产。此外，新产品已经开始通过电商进行销售(样品价格300日元/个，不含税)。为便于客户进行初期评估和替换研究，ROHM还提供可支持 SSOP5封装的装有IC的转接板。　　未来，ROHM将持续推进产品的小型化，同时利用自有的超低静态电流技术进一步降低运算放大器的功耗。另外，ROHM还将持续致力于提升产品在低噪声、低失调电压和扩大电源电压范围等方面的性能，并通过提升应用产品的控制精度为解决社会课题贡献力量。　　<产品主要特性>　　<应用示例>　　・消费电子：可穿戴设备、智能设备、人体感应传感器等　　・工业设备：气体探测器、火灾报警器、便携式测量仪、各种物联网设备用的环境传感器等　　<电商销售信息>　　发售时间：2025年6月起　　电商平台：新产品在AMEYA360等电商平台将逐步发售。　　・产品型号：TLR1901GXZ-E2　　・装有IC的转接板：TLR1901GXZ-EVK-001 　　<关于Nano Energy™>　　Nano Energy™是指通过融合ROHM垂直整合型生产体制中的“电路设计”、“布局”和“工艺”三大先进模拟技术，实现了纳安(nA)级电路电流的超低静态电流技术。该技术不仅可以延长电池供电的物联网设备和移动设备的续航时间，还有助于不希望增加功耗的工业设备等实现高效运行。 https://www.rohm.com.cn/support/nano 　　・Nano Energy™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*1)WLCSP(Wafer Level Chip Scale Package)　　在晶圆状态下完成引脚成型和布线，随后切割成芯片的超小型封装。与将晶圆切割成芯片后通过树脂模塑形成引脚等的普通封装形式不同，这种封装可以做到与内部的半导体芯片相同大小，因此可以缩减封装的尺寸。　　*2)输入失调电压　　运算放大器输入引脚间产生的误差电压。　　*3)输入失调电压温漂　　温度升降导致输入失调电压的波动。该波动量越小，运算放大器的精度越高。

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发布时间：2025-07-29 14:23 阅读量：468 继续阅读>>

国民技术可信计算芯片与统信U<span style='color:red'>OS</span>完成全栈互认

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国民技术可信计算芯片与统信UOS完成全栈互认

　　国民技术可信计算芯片NS350 V30、NS350 V32及Z32H330TC近日成功完成与统信操作系统V25系列(桌面版/服务器版)的多平台适配互认。值得注意的是，Z32H330TC芯片于2022年实现了与统信V20系列操作系统(桌面版/服务器版)的多平台适配互认。国民技术通过"芯片+操作系统"的深度协同，有力推动可信计算技术在政务、金融、通信、能源、教育等关键行业领域的规模化应用。　　根据IDC中国发布的《2024年操作系统市场追踪报告》，在云计算普及和国有企业数字化转型的双重驱动下，国产操作系统迎来快速发展期。报告预测，到2027年，中国国产操作系统市场规模将达到38亿元人民币。　　作为国内装机量领先的国产操作系统，统信UOS展现出强劲的发展态势：2024年生态适配数量突破800万大关，预计2025年将实现1500万的适配规模。分析指出，随着信创战略的持续深化和行业应用场景的不断拓展，统信UOS未来仍具备可观的市场增长潜力。　　国民技术NS350 V30/V32/Z32H330TC系列芯片作为计算平台可信根解决方案，具备以下核心优势：　　01 标准合规性　　➢ 同时符合中国TCM2.0标准(GM/T 0012-2020)和国际TPM2.0标准(1.59版)。　　➢ 获得商用密码产品二级安全认证、可信密码模块认证及ANSSI CC EAL4+认证。　　02 平台兼容性　　➢ 实现与Intel可信启动架构的无缝集成。　　➢ 全面支持龙芯、兆芯、飞腾、申威、海光、鲲鹏等国产计算平台的可信主动度量。　　➢兼容统信UOS、麒麟、中科方德等国产系统与Windows/Linux/ BSD UNIX等国际主流操作系统可信应用。　　03 算法支持　　➢ 支持SM2/SM3/SM4商密算法体系。　　➢ 支持AES/RSA/ECC/SHA等国际通用算法。　　作为中国可信计算产业的奠基者和国际可信计算组织(TCG)中唯一中国核心成员，国民技术正加速构建全球可信计算产业新生态。国内市场方面，国民技术已实现对中国主流终端厂商的全覆盖，包括联想、同方、长城等头部企业，市场占有率保持领先地位。国际市场上，国民技术已成功打入全球供应链，成为微软Surface系列、英特尔平台、戴尔商用终端等国际产品的可信计算芯片核心供应商。同时，公司正积极推动可信计算技术在政务、金融、能源等关键行业的规模化应用。

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国民技术

发布时间：2025-07-28 11:38 阅读量：778 继续阅读>>

型号	品牌	询价
TL431ACLPR	Texas Instruments
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
BP3621	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor

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